جداسازی نانولوله های کربنی فلزی از نیمه هادی به روش مغناطیسی

موضوعی که در دنیای امروز از اهمیت زیادی برخوردار است، استفاده و بهره برداری از مواد به ظاهر کم اهمیت و تبدیل آنها به تجهیزات و موادی است که برای بشر و علم بسار سودمند باشد. در علوم امروز، علم نانو و شاخه های مرتبط با آن از اهمیت ویژه ای برخوردار می باشند چرا که بسیاری از کارهایی که تا به حال انجام آن برای بشر سخت و یا غیر ممکن بود به وسیله این مواد آسان و قابل دسترس شده است. نانولوله های کربنی نمونه ای از مواد نانویی هستند که به دلایل خواص ویژه اعم از الکتریکی، مغناطیسی، اپتیکی و حرارتی توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. نانولوله های کربنی به روشهای متفاوتی رشد داده می شوند که می توان به روش رسوبدهی شیمیایی بخار، قوس الکتریکی و تبخیر لیزری اشاره کرد. نکته ای که در تولید نانولوله های کربنی حائز اهمیت است، تولید همزمان نانولوله های کربنی فلزی و نیمه هادی در پایان فرایند تولید می باشد. در صنعت هر کدام از انواع نانولوله های کربنی ( فلزی و نیمه هادی ) کاربردهای مخصوص خود را دارند. پس جداسازی این نانولوله ها از یکدیگر باعث افزایش کارایی و بهره برداری از این نانولوله ها می شود. روشهای متعددی توسط محققان جهت جداسازی نانولوله های کربنی فلزی از نیمه هادی پیشنهاد شده است که می توان به جداسازی به روش دی الکتروفورسیس، جداسازی توسط ژل آگاروز و یا توسط یون برم اشاره کرد. با استفاده از هر کدام از روشهای مربوط به جداسازی می توان به مقادیری از نانولوله های فلزی و نیمه هادی دست یافت. هدف محققان از ارائه روشهای جدید، دست یافتن به مقادیر بهینه از میزان جداسازی است بطوریکه میزان ناخالصی در میان هر کدام از انواع نانولوله کمتر شود. مقدار بهینه گزارش شده از میزان جداسازی در مقالات، به میزان 30 درصد فلزی و 70 درصد نیمه هادی می باشد که با استفاده از روش دی الکتروفورسیس بدست آمده است. در این تحقیق، جداسازی نانولوله های کربنی فلزی از نیمه هادی توسط میدان مغناطیسی و با استفاده از حدسهای اولیه تئوری انجام پذیرفته است. این جداسازی به دو روش خشک و با استفاده از محلول حاوی آب، نانولوله های کربنی و سدیم دودسیل سولفات انجام شد که در پایان هر کدام از آنها حدود 50 درصد نانولوله فلزی و 50 درصد نانولوله نیمه هادی تولید گردید. جهت اطمینان از نانولوله های جداسازی شده آزمایشات متفاوتی اعم از تصاویر sem، طیف سنجی رامان و هدایت الکتریکی از آنها به عمل آورده شد که همگی تایید کننده عمل جداسازی می باشند.